Описание

IGBT транзисторы были изначально предназначены для недорогой и эффективной замены силовых полевых транзисторов в среднем диапазоне напряжений (400-600 В). Однако для достижения поставленных целей разработчики IGBT должны были решить две главные проблемы: малая скорость переключений транзисторов и высокая себестоимость приборов. Решением этих проблем стала WARP серия IGBT транзисторов International Rectifier. Примерами WARP серии являются транзисторы IRGP20B60PDPBF и IRGB20B60PD1PBF Их время переключений максимально близко к аналогичному параметру силовых полевых транзисторов без ущерба отличным характеристикам проводимости IGBT. Благодаря малому размеру кристалла (при сохранении уровня мощности) WARP Speed IGBT имеют более низкий заряд затвора и сниженную стоимость в системах преобразования энергии 400-600 В, работающих на частотах до 150 кГц. Благодаря более высокой плотности тока IGBT, эти транзисторы даже при вдвое меньшем размере кристалла могут пропускать через себя в 2-3 раза выше ток, чем обычный MOSFET. Размер кристалла IGBT обычно составляет 40% от кристалла MOSFET транзистора той же выходной мощности.

Технические параметры

Структура : N-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В : 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A : 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В : 3.7
Управляющее напряжение,В : 5
Мощность макс.,Вт : 220
Максимальная частота переключения, кГц : 150
Температурный диапазон,С : -55ЂЂЂ150
Корпус : TO247AC