MGF1601B-01, GaAs FET 8GHz
 Нажмите, чтобы увеличить |
|
Технические параметры
Структура : P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В : -6
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А : -0.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт : 1.2
Корпус : GD-10
Особенности : СВЧ усилительный 8ГГц
Написать отзыв
Ваше Имя:
Ваш отзыв: Заметка: HTML теги не принимаются! Используйте обычный текст.
Рейтинг: Плохо Хорошо
Введите код, указанный на картинке:
Ваш отзыв: Заметка: HTML теги не принимаются! Используйте обычный текст.
Рейтинг: Плохо Хорошо
Введите код, указанный на картинке:
Нет дополнительных изображений.