Описание

International Rectifier представил линейку новых силовых HEXFET MOSFET транзисторов, имеющий одно из самых низких значений сопротивления канала в открытом состоянии. Новые силовые транзисторы изготовлены по последней кремниевой технологии и представлены в корпусе PQFN 5x6мм . Данные транзисторы оптимизированы для приложений типа ORing (активные силовые схемы ИЛИ) и электроприводов постоянного тока. Новые силовые MOSFET транзисторы выполнены по принципиально новому методу корпусирования кристалла с применением медной клипсы. На поверхность кристалла помещается ЂЂЂ «защелкивается» медная пластина ЂЂЂ клипса, обеспечивая очень плотное прилегание к кристаллу ЂЂЂ контакт, позволяющий получить сопротивление перехода кристалл ЂЂЂ медная клипса менее чем 1 мОм. Транзисторы на 25 В IRFH5250TRPbF и 30 В IRFH5300TRPbF предназначены для DC коммутации, например, O'Ring приложений или DC электроприводов, где требуется большая нагрузочная способность по току и высокая эффективность Транзисторы IRFH5250TRPBF на 25В наряду со сверхмалым сопротивлением открытого канала 1.15 мОм (макс.) имеют значение заряда затвора (Qg) 52 нК, а транзисторы IRFH5300TRPBF на 30В ЂЂЂ соответственно 1.4 мОм и 50 нК. В дополнении к отличным характеристикам теплоотвода использование данных транзисторов позволит сократить площадь платы и стоимость разработки, поскольку ранее для снижения потерь требовать использование нескольких компонентов.

Технические параметры

Структура : N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В : 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А : 100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В : ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм : 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт : 100
Крутизна характеристики S,мА/В : 180000
Корпус : PQFN5x6
Особенности : мощный полевой
Пороговое напряжение на затворе : 2.35