Описание

Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 32 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 32 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока hfe мин 120 Hfe при токе коллектора, А 0.002 Hfe при напряжении к-э, В 5 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25 Корпус SOT23 Диапазон рабочих температур, оС -65ЂЂЂ150 Производитель Philips Semiconductors

Технические параметры

Структура : PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В : 32
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В : 32
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) : 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин : 215
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц : 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт : 0.25
Корпус : SOT23