Описание

Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока hfe мин 290 Hfe при токе коллектора, А 0.002 Hfe при напряжении к-э, В 5 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25 Корпус SOT23 Диапазон рабочих температур, оС -65ЂЂЂ150 Производитель Philips Semiconductors

Технические параметры

Структура : NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В : 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В : 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) : 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин : 420
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц : 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт : 0.3
Корпус : SOT23