Описание

Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5 Статический коэффициент передачи тока hfe мин 100 Hfe при токе коллектора, А 0.1 Hfe при напряжении к-э, В 1 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 80 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25 Корпус SOT23 Диапазон рабочих температур, оС -65ЂЂЂ150 Производитель Philips Semiconductors

Технические параметры

Структура : PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В : 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В : 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) : 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин : 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц : 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт : 0.31
Корпус : SOT23